作者:
asiguo (PositiveWeiwei)
123.193.56.23 (台灣)
2021-08-29 20:23:23 推 Jcheng1004: 文章寫的內容跟台灣GaN 和 SiC現況完全不一樣… 47F 08-29 20:53
推 Jcheng1004: 台灣功率和射頻GaN 磊晶 就台積,晶電和嘉晶 55F 08-29 20:55
推 Jcheng1004: 這篇文章內容比較像是股票分析師的文章 58F 08-29 20:57
噓 Jcheng1004: 1.目前快充的元件 幾乎都是用650V氮化鎵
3.目前氮化鎵很難跟CMOS基板整合,因為製程會有污染 103F 08-29 22:03
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