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作者 標題 [情報] 三星、海力士年底擬推DDR 4新產品
時間 Tue Mar 6 15:56:56 2012
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三星、海力士年底擬推DDR 4新產品
據南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導體(Hynix) 2012年底將會投入次世代記憶體DDR 4量產，領先全球記憶體市場。三星、海力士等近來在美國舊金山國際固態電路會議(ISSCC)上展示了30奈米等級DDR 4的試製品。兩大韓廠推出的試製品是以30奈米等級微細製程研發，2012年底則計劃採用20奈米等級製程投入量產。DDR ...
據南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導體(Hynix) 2012年底將會投入次世代記憶體DDR 4量產，領先全球記憶體市場。三星、海力士等近來在美國舊金山國際固態電路會議(ISSCC)上展示了30奈米等級DDR 4的試製品。兩大韓廠推出的試製品是以30奈米等級微細製程研發，2012年底則計劃採用20奈米等級製程投入量產。DDR ...
2012/03/06-嚴思涵
據南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導體(Hynix) 2012年底
將會投入次世代記憶體DDR 4量產，領先全球記憶體市場。三星、海力士等近來在美國舊金
兩大韓廠推出的試製品是以30奈米等級微細製程研發，2012年底則計劃採用20奈米等級製
程投入量產。DDR 4 DRAM較目前市場上的主要產品DDR 3耗電量低，且資訊傳輸速度約提升2倍，微次世
代DRAM規格。而兩大韓廠推出的試製品採用了聯合電子裝置工程協會(JEDEC)規格。全球記憶體晶片業者中，目前僅三星和海力士研發出DDR 4試製品，未來DDR 4的標準化作業主導
權，可能也會落到三星及海力士手上。
三星推出的DDR 4記憶體在1.2伏特(V)電壓下可驅動2,133MHz，而海力士的產品在同樣的電
壓下，可驅動2,400MHz。相較於兩大韓廠的試製品在1.5V下驅動的DDR 3記憶體相比，耗電
量減少了40~50%。
壓下，可驅動2,400MHz。相較於兩大韓廠的試製品在1.5V下驅動的DDR 3記憶體相比，耗電
量減少了40~50%。
三星及海力士內部人員透露，瞄準高規格電腦或超小型伺服器市場，2012年底將會採用20
奈米等級製程量產DDR 4產品。
海力士行銷本部長金知範指出，海力士研發的DDR 4試製品可滿足環保、低耗電、高性能等
特性。除現有的電腦及伺服器市場外，也將會針對快速成長的平板電腦(Tablet PC)市場提
根據市調機構iSuppli統計，整體DRAM晶片中，DDR 4比重在2013年將會達到1%，至2015年
可望突破45%，成為市場主要產品。此外，DDR 3產品比重在2011年時為72%，達到最高值後
將持續降低，2015年將會減少至15%。
可望突破45%，成為市場主要產品。此外，DDR 3產品比重在2011年時為72%，達到最高值後
將持續降低，2015年將會減少至15%。
怎麼辦
我們好像被甩在後面了?
政府會出手嗎?
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 219.87.145.68
推 :屯D3的:1F 03/06 16:31
推 : 插2F 03/06 16:32
推 :關鍵在Intel3F 03/06 16:50
→ :就算以後DDR4 1G一千塊，台廠也賺不到。4F 03/06 16:55
→ :DDR4樣品，三星和海力士去年就都試做出來了。
→ :DDR4樣品，三星和海力士去年就都試做出來了。
→ :幾乎是獨家壟斷了，兩家韓廠還可以防反托拉斯6F 03/06 17:22
推 :慘了上次我屯了 4條4G 死定了 花了20007F 03/06 17:22
→ :DDR4 不就要插四條 才能跑滿全頻寬 ? 是這樣嗎~8F 03/06 17:33
推 :完了完了完了9F 03/06 17:36
推 :一條兩千五的時代要來了...10F 03/06 17:52
推 :DDR一直都是三星在制訂規格的11F 03/06 17:59
推 :再漲阿12F 03/06 18:18
→ :最好是2013年1%...唬爛不用錢的13F 03/06 18:26
→ :台廠沒出嗎?14F 03/06 18:34
推 :DDR4穩壟斷了15F 03/06 18:40
推 :台廠的下一步是16F 03/06 18:43
推 : 賣設備17F 03/06 18:55
推 :壟斷開始 殺生中18F 03/06 18:56
推 :支援DDR4的晶片組還沒有影子 = =19F 03/06 18:59
→ :除非Intel自己再玩一次Rambus事件20F 03/06 19:04
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