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東芝與西數今天一同宣佈了新一代BiCS 4技術，用這個技術就可以打造出96堆疊的3D
NAND快閃記憶體
並且說用該技術不但可以做TLC快閃記憶體，還會支援QLC
然而實際上QLC快閃記憶體用現在的64層堆疊BiCS 3就可以打造出來，東芝今天就宣佈世
界上首款走出實驗室投入實用的QLC快閃記憶體。

東芝的QLC BiCS快閃記憶體採用64層堆疊，擁有目前最高的Die容量768Gb（96GB）


現在的TCL每個Cell單元可以儲存3個資料，有23=8個狀態，而QLC則是4bit MLC
每個Cell單元能存儲4位元資料，有24=16個狀態，因此QLC快閃記憶體的容量更大QLC快閃
記憶體的容量更大
成本更低，但4位元資料帶來的挑戰也很大，更精確的電壓控制、更複雜的干擾等問題都
會影響QLC快閃記憶體的性能及可靠性
現在東芝用自己先進的電路設計和3D快閃記憶體技術克服了這一技術難關，成功打造了世
界上首個QLC 3D快閃記憶體。
東芝的QLC其實在6月初就開始給SSD廠商與SSD主控廠送樣評估與開發了
並且會在今年8月7日到10日的加利福尼亞州聖克拉拉舉行的Flash快閃記憶體峰會上展出
樣品。
QLC快閃記憶體未來也要經過多次考驗，大家接受這種快閃記憶體可能有個過程
大家對QLC快閃記憶體有什麼想要瞭解的

來源：
http://www.expreview.com/55291.html

QLC 要強暴大家了
沒得選了以後

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