全球先進製程競賽腳步未歇，供應鏈消息指出，晶圓代工龍頭台積電下一世代的 2 奈米
布局持續進行中，新竹寶山廠規劃於 2024 年第二季展開進機，2025 年第四季進入量產
，初期月產能約達 3 萬片；而高雄廠也正在著手進行組織編制，預計在 N2 登場隔一年
後量產 N2P（2 奈米加強版）製程，並採用背面供電技術。

根據台積電先前法說會上透露，公司在N2發展出背面電軌（backside power rail）解決
方案，此一設計最適於HPC相關應用。在基線技術之上，背面電軌將使速度提升10%至12%
，邏輯密度提升10%至15%。目標是在2025年下半年向客戶推出背面電軌，並於2026年量產
，與供應鏈傳言不謀而合。

過去，英特爾（Intel）率先從平面結構電晶體轉向FinFET（鰭式場效電晶體），隨著製
程技術逐步邁向GAAFET架構的MBCFET、BSPDN（背面供電），包括台積電、三星、英特爾
都在積極競爭GAA新世代的領導者位置，更提出相當正向且積極的技術發展藍圖。

根據三星半導體規劃，2025年將大規模量產2奈米，1.4奈米則預定2027年量產；Intel採
用Gate All Around（GAA）技術RibbonFET電晶體架構的20A預計2024年上半年進入預備量
產，而18A則會在2025年量產。法人表示，台積電的技術層次、穩定量產能力、良率均技
高一籌，加上輝達等大廠力挺，料將穩固其霸主地位不變。