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作者 標題 [新聞] 聯電22奈米報喜 奪美商航太高密度MRAM訂
時間 Tue Sep 13 11:14:36 2022
原文標題:聯電22奈米報喜 奪美商航太高密度MRAM訂單
原文連結:https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4056167
聯電22奈米報喜 奪美商航太高密度MRAM訂單 - 自由財經
〔記者洪友芳/新竹報導〕晶圓代工廠聯電(2303)與專精MRAM技術的創新公司Avalanche Technology 於今(13)日宣布推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體 ( P-SRAM ...
![[圖]](https://img.ltn.com.tw/Upload/business/page/800/2022/09/13/phpbbthV5.jpg)
發布時間:3022/09/13 09:31
記者署名:記者洪友芳
原文內容:
晶圓代工廠聯電(2303)與專精MRAM技術的創新公司Avalanche Technology 於今(13)日
宣布推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體 ( P-SRAM),此第三代產品採聯電的22奈
米製程生產,為Avalanche Technology最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 (STT-MRAM) 技術
,相較於現有的非揮發性解決方案,更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。
宣布推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體 ( P-SRAM),此第三代產品採聯電的22奈
米製程生產,為Avalanche Technology最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 (STT-MRAM) 技術
,相較於現有的非揮發性解決方案,更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。
Avalanche Technology行銷與商務發展副總經理 Danny Sabour表示,此次新產品的推出,
真正實現市場對高耐用性、高可靠性和高密度的各項應用需求,且無需外部電池、錯誤修正
代碼 (ECC) 或耗損平均技術。由於現今無所不在的感測裝置及日益升高的資料處理需求
推升對耐磨損、高持久性記憶體的需要,公司將很快啟動進一步提高16Gb 單晶片解決方案
的開發工作。
真正實現市場對高耐用性、高可靠性和高密度的各項應用需求,且無需外部電池、錯誤修正
代碼 (ECC) 或耗損平均技術。由於現今無所不在的感測裝置及日益升高的資料處理需求
推升對耐磨損、高持久性記憶體的需要,公司將很快啟動進一步提高16Gb 單晶片解決方案
的開發工作。
聯電前瞻發展辦公室暨研發副總經理洪圭鈞表示,很高興與技術領導廠商Avalanche Techno
logy合作,將此獨立的記憶體解決方案投入生產,這是一個重要的里程碑,有助於將堅實且
高度可擴展的MRAM解決方案商業化。聯電憑藉著多元的晶圓專工技術和卓越的製造能力,並
透過此次與 Avalanche Technology 的合作,將滿足市場對持久性記憶體不斷提升的需求。
logy合作,將此獨立的記憶體解決方案投入生產,這是一個重要的里程碑,有助於將堅實且
高度可擴展的MRAM解決方案商業化。聯電憑藉著多元的晶圓專工技術和卓越的製造能力,並
透過此次與 Avalanche Technology 的合作,將滿足市場對持久性記憶體不斷提升的需求。
Avalanche Technology首席技術長兼技術與晶圓專工業務副總經理懷一鳴表示,自2006 年
起,Avalanche Technology 持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面 (perpendicular Magn
etic Tunnel Junction, pMTJ) 結構的 STT-MRAM 技術。以領先業界的 pMTJ 和 CMOS 設
計為基礎,透過合作夥伴聯電,讓最先進的高密度和高性能STT-MRAM 產品得以問世。
起,Avalanche Technology 持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面 (perpendicular Magn
etic Tunnel Junction, pMTJ) 結構的 STT-MRAM 技術。以領先業界的 pMTJ 和 CMOS 設
計為基礎,透過合作夥伴聯電,讓最先進的高密度和高性能STT-MRAM 產品得以問世。
此產品為Avalanche第三代P-SRAM,Parallel x 32 系列作為標準產品提供各種密度選項,
並具有非同步SRAM兼容讀/寫時序。其數據始終是非揮發性的,並具備領先業界的 >1014 次
寫入周期耐久性和1000 年保存期 (在 85° C 下)。兩種密度選項均採用小尺寸142-ball
FBGA(15mm x 17mm)封裝。這些裝置都經由 JEDEC 認證流程確保寬廣的 (-40° C 至125
° C) 工作溫度範圍,每項裝置在交付給客戶前並都經過 48 小時的老化測試。其他額外認
證選項亦提供給合作夥伴選擇。
並具有非同步SRAM兼容讀/寫時序。其數據始終是非揮發性的,並具備領先業界的 >1014 次
寫入周期耐久性和1000 年保存期 (在 85° C 下)。兩種密度選項均採用小尺寸142-ball
FBGA(15mm x 17mm)封裝。這些裝置都經由 JEDEC 認證流程確保寬廣的 (-40° C 至125
° C) 工作溫度範圍,每項裝置在交付給客戶前並都經過 48 小時的老化測試。其他額外認
證選項亦提供給合作夥伴選擇。
Avalanche Technology公司是次世代垂直式自旋磁性記憶體技術(STT-MRAM)的領導廠商,
被公認為在未來單晶片(SOC)系統中取代傳統快閃記憶體(Flash)和靜態隨機存取記憶體
(SRAM)以實現統一內存架構的領先者,可在55、40、28與22奈米製程下實現,並可擴展至
14奈米及更先進製程。憑藉在多個幾何節點上經過驗證的 STT-MRAM 產品以及超過300 項專
利和應用的組合,Avalanche Technology 正實現下一代可擴展統一內存架構以應用於工業
、物聯網、航太和儲存應用,成為真正的「次世代MRAM 企業」。
被公認為在未來單晶片(SOC)系統中取代傳統快閃記憶體(Flash)和靜態隨機存取記憶體
(SRAM)以實現統一內存架構的領先者,可在55、40、28與22奈米製程下實現,並可擴展至
14奈米及更先進製程。憑藉在多個幾何節點上經過驗證的 STT-MRAM 產品以及超過300 項專
利和應用的組合,Avalanche Technology 正實現下一代可擴展統一內存架構以應用於工業
、物聯網、航太和儲存應用,成為真正的「次世代MRAM 企業」。
心得/評論:
二哥的特殊製程。似乎還不錯。反觀跟gg差一個字的似乎還要再加油。
手機旺季也到來。iphone賣爆,二哥滿手oled DDI訂單。營收是要怎麼下修 看官怎看?
※必需填寫滿30字,無意義者板規處分
※必需填寫滿30字,無意義者板規處分
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推 : 雪崩科技1F 09/13 11:18
推 : 二哥特殊製程佔比50%~55%2F 09/13 11:20
→ : 營收月月增 股價日日跌3F 09/13 11:23
推 : 還不快拉到60?4F 09/13 11:27
推 : 糟了 利多新聞5F 09/13 11:29
推 : 業內看到706F 09/13 11:33
推 : 拉到40就沒力了..7F 09/13 11:34
→ : 不是奪mrna訂單喔~8F 09/13 11:35
噓 : 成熟製程下去9F 09/13 11:36
→ : 透抽長還在6字頭等各位10F 09/13 11:37
推 : 二哥沒有輸11F 09/13 11:41
推 : 跟生技一起噴12F 09/13 11:42
推 : 我二哥天下無敵13F 09/13 11:42
→ : 利多給你漲個面子 1%14F 09/13 11:44
→ : 加油15F 09/13 11:49
推 : 聯電品質16F 09/13 11:53
推 : 上看3017F 09/13 11:54
推 : mram能夠商用了喔!18F 09/13 12:00
推 : 去年記得股板一堆上看80上看100的然後就…19F 09/13 12:02
噓 : 完了….20F 09/13 12:04
推 : 台積電完蛋了21F 09/13 12:09
→ : 還敢出利多22F 09/13 12:14
推 : 收到目標2223F 09/13 12:15
推 : 力積電哭哭24F 09/13 12:17
→ : 不可能 我二D天下無底25F 09/13 12:18
推 : 完蛋,跌停26F 09/13 12:19
→ : 還敢出利多喔,下去吧27F 09/13 12:34
推 : 收到打收到 目標價上看多少?28F 09/13 12:45
推 : 一篇一根29F 09/13 12:51
→ : 不可能30F 09/13 12:56
→ : 好 繼續空31F 09/13 12:58
推 : 茂矽42聯電40.伯仲之間?32F 09/13 13:05
推 : 只有四十33F 09/13 13:07
→ : 營收占不到一趴 有個鳥用34F 09/13 13:16
→ : 有機會漲到90吧?35F 09/13 13:26
推 : 給我噴36F 09/13 13:34
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