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作者 標題 [新聞] 三星決心GAA搶先台積電推出 但良率是利潤
時間 Wed Sep 1 11:48:11 2021
原文標題:
三星決心GAA搶先台積電推出 但良率是利潤關鍵
(請勿刪減原文標題)
原文連結:
https://bit.ly/3kH5krt
(請善用縮網址工具)
發布時間:
2021年9月1日
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容:
三星電子(Samsung Electronics)設備解決方案(Device Solution)業務技術長
Jeong Eun-seung 宣佈,作為下世代半導體製程的核心,將提前實現 GAA(Gate all
around)技術商業化。三星電子計劃從明年 (2022) 開始將 GAA 應用於 3 奈米製程;台
積電預計 2023 年於 2 奈米採用 GAA 技術。
Jeong Eun-seung 在 2021 年 8 月 25 日三星技術暨事業論壇(Samsung Tech &
Career Forum)上發表主題演講時表示,三星目前 GAA 技術領先主要競爭對手台積電,
若能確保技術將有助於推動三星代工業務成長。但是,三星晶圓代工難超越台積電,目前
台積電晶圓代工市場佔有率 53.9%、三星僅 17.4%。
若能確保技術將有助於推動三星代工業務成長。但是,三星晶圓代工難超越台積電,目前
台積電晶圓代工市場佔有率 53.9%、三星僅 17.4%。
然而,從 GAA 專利技術開發來看,2011 年至 2020 年間,全球 GAA 專利有 31.4% 來自
台積電,三星電子則占 20.6%,IBM(10.2%)和 GlobalFoundries(5.5%)。
GAA 被視為 3 奈米製程的關鍵,未來將被全球半導體代工公司所採用。技術的關鍵是將
在半導體內部充當「電流開關」的電晶體的結構從 3D(FinFET)改為 4D(GAA)。三星
電子稱,在 2019 年曾與客戶進行 3 奈米 GAA 製程設計工具測試顯示,GAA 技術將晶片
面積減少了 45%,並將能源效率提高了 50%。
在半導體內部充當「電流開關」的電晶體的結構從 3D(FinFET)改為 4D(GAA)。三星
電子稱,在 2019 年曾與客戶進行 3 奈米 GAA 製程設計工具測試顯示,GAA 技術將晶片
面積減少了 45%,並將能源效率提高了 50%。
雖然,三星電子決心要趕在台積電前,將新一代 3 奈米 GAA 製程技術商業化。然而,晶
圓代工良率才是企業利潤的關鍵。根據韓媒報導 (2021.7.4),三星電子在華城園區廠最
先進的 V1 線,仍存在良率難解問題,5 奈米產品的良率仍低於 50%。這可能與日本化學
輔料有關,由於日本對韓國實施半導體三項關鍵原料管制,造成三星在先進奈米製程的良
率無法提升。
圓代工良率才是企業利潤的關鍵。根據韓媒報導 (2021.7.4),三星電子在華城園區廠最
先進的 V1 線,仍存在良率難解問題,5 奈米產品的良率仍低於 50%。這可能與日本化學
輔料有關,由於日本對韓國實施半導體三項關鍵原料管制,造成三星在先進奈米製程的良
率無法提升。
心得/評論: ※必需填寫滿20字
三星為搶奪代工市場,積極開發GAA技術,誓言搶在對手台積電前將技術商業化,推出3奈米產品。
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推 : 良率是出貨關鍵 之後才是利潤1F 09/01 11:49
→ : 貨都出不了 想甚麼利潤
→ : 貨都出不了 想甚麼利潤
→ : 世界跟上台灣??3F 09/01 11:50
推 : 良率才是客戶下單重點...4F 09/01 11:51
→ : 良率低,客戶出貨不穩定品質不穩定,誰給你下單..
→ : .
→ : 良率低,客戶出貨不穩定品質不穩定,誰給你下單..
→ : .
推 : 水溝蓋超車7F 09/01 11:52
推 : 哄堂大笑8F 09/01 11:52
推 : 慘 550台積今天先出了 之後殺下來再接9F 09/01 11:53
推 : 99TSM 99TSM 99TSM10F 09/01 11:54
→ : 良率低客戶也不敢下單吧11F 09/01 11:59
→ : 三星先過三期再說吧12F 09/01 11:59
推 : 三星良率呵呵13F 09/01 12:01
推 : 這反而凸顯三星技術不行 3nm就在用GAA14F 09/01 12:01
推 : 拜託蘋果別再搞抽抽樂了哦15F 09/01 12:03
推 : 三星的3奈米不是才=gg5奈米16F 09/01 12:03
推 : 然而,三爽良率堪憂,所以GG上看100017F 09/01 12:05
→ : 4D... 記者知道自己在寫什麼嗎?18F 09/01 12:15
推 : 自己都不夠用還代工19F 09/01 12:16
推 : 先讓高通去試試看20F 09/01 12:18
推 : 彎道翻車21F 09/01 12:22
推 : ***5奈米被gg 超車一次之後的製程開不穩了22F 09/01 12:22
推 : 直接自爆弱點,低能23F 09/01 12:24
推 : 別說良率啦 耗電跟散熱 先解決好嗎24F 09/01 12:27
→ : 快有用嗎? 跑遊戲結果過熱還不是要降頻
→ : 快有用嗎? 跑遊戲結果過熱還不是要降頻
推 : 良率低到連製造成本都賺不回來不如不要拿出來賣26F 09/01 12:29
推 : 暖手寶 專產戶27F 09/01 12:30
→ : 不打磨良率的改善,成天只想彎道超車是想要填海?28F 09/01 12:36
→ : 不就跟 intel7奈米一樣 良率29F 09/01 12:43
→ : 依呆丸郎的尿性,說不定有很多人想帶機密投靠中韓cc30F 09/01 12:48
推 : 好,GG繼續漲31F 09/01 12:54
推 : 888 聽說很熱32F 09/01 12:56
推 : 4D是穿越維度誒,有這種技術,還用半導體勒33F 09/01 13:00
推 : 海力士也推出什麼4D NAND,其實也就只是美光/intel34F 09/01 13:08
→ : 5-6年前就已量產的CUA。所謂4D只是噱頭罷了。
→ : 5-6年前就已量產的CUA。所謂4D只是噱頭罷了。
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