顯示廣告
隱藏 ✕
回列表(←)
Disp BBS guest 註冊 登入(i) 線上人數: 564
首頁(home) 上頁(↑) 下頁(↓) 末頁(end)
※ 本文轉寄自 ptt.cc 更新時間: 2021-03-14 03:07:22
看板 Stock
作者 madeinheaven ()
標題 [新聞] 三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片，預計
時間 Sat Mar 13 18:38:26 2021



原文標題：
三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片，預計2022年用在3nm工藝上
                                      (請勿刪減原文標題)  
原文連結：
https://www.expreview.com/78337.html
三星已用GAAFET技术打造出SRAM芯片，预计2022年用在3nm工艺上 - 超能网 超能网（Expreview）专注于为主流科技产品提供全新视角的资讯，专注于100%高价值原创内容的创造，专注于最真实的体验式报道。 ...

 
                                      (請善用縮網址工具)
發布時間：
2021-3-13 09:54
                                      (請以原文網頁/報紙之發布時間為準)


原文內容：

三星在去年年初就宣佈他們攻克了3nm工藝的關鍵技術GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，預
計會在2022年正式推出這種工藝，目前關於此工藝的消息甚少，tomshardware報導說三星
在IEEE國際集成電路會議上，三星公佈了3GAE工藝的一些細節。


https://i.imgur.com/s19YA4c.jpg
[圖]

GAAFET其實有兩種，一種是使用納米線作為電子晶體管鰭片的常見GAAFET，另外一種則是
以納米片形式出現的較厚鰭片的多橋通道場效應電子晶體管MBCFET。兩種都在柵極材料所
在側面上圍繞溝道區，納米線與納米片的實現方式很大程度上取決於設計，一般而言都用
GAAFET來描述兩者。


https://i.imgur.com/exfnXbE.jpg
[圖]

GAAFET其實早在1988年就出現了，這種晶體管的結構使得設計人員可以通過調節晶體管通
道的寬度來精確地對其進行調諧，以實現高性能或低功耗。較寬的薄片可以在更高的功率
下實現更高的性能，而較薄/較窄的薄片可以降低功耗和性能。在FinFET上實現類似的設
計時，工程師必須使用額外的鰭來改善性能。但是在這種情況下，晶體管通道的“寬度”
只能增加一倍或兩倍，精度不是很好，有時效率很低。


https://i.imgur.com/oPKVA8F.jpg
[圖]

三星表示，與7LPP工藝相比，3GAE工藝可在同樣功耗下讓性能提高30%，同樣頻率下能讓
功耗降低50%，晶體管密度最高可提高80%。

https://i.imgur.com/SzDihmg.jpg
[圖]

三星展示了首個使用MBCFET技術的SRAM芯片，這個256Gb芯片的面積是56mm2，與現有芯片
相比這個用MBCFET技術的寫入電壓降低了230mV，可見MBCFET確實能讓降低功耗。

https://i.imgur.com/oB7WDEK.jpg
[圖]

SRAM其實是比較簡單的芯片，目前還沒有見到三星能用這種技術生產複製芯片的能力，但
相信給些時間三星就能解決這問題，預計3nm MBCFET製程會在2022年投產。




心得/評論：                             ※必需填寫滿20字

三星已經做出使用MBCFET技術的SRAM

預計3nm MBCFET製程會在2022年投產

台積電在3nm則是繼續使用FinFET也是在2022年投產

----------------------------------發文提醒-------------------------------
1.發文前請先詳閱[新聞]分類發文規範，未依規範發文將受處份。
2.連結過長請善用 https://bit.ly/ 縮網址，連結能不能點擊者板規1-2-2處份。
3.心得/評論請盡量充實，*[m心得過短或濫竽充數將會以1-2-3&一行文規範水桶處份
4.發文請依照格式文章標明段落，不符合格式者依4-1刪文處分。
 ------------------ 以上注意事項請勿刪除 違者4-1 刪文處分-----------------

--
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.24.109.151 (臺灣)
※ 文章代碼(AID): #1WJ9OasE (Stock)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1615631908.A.D8E.html
→ rayccccc    : 加油ㄛ1F 03/13 18:40
噓 godog       : 心得懶的寫 直接抄內文2F 03/13 18:42
我改一下
※ 編輯: madeinheaven (114.24.109.151 臺灣), 03/13/2021 18:45:08
噓 tnleetony   : 心得呵呵3F 03/13 18:44
噓 Rin5566     : 丸子4F 03/13 18:44
→ deepbluer   : GG 885F 03/13 18:46
※ 編輯: madeinheaven (114.24.109.151 臺灣), 03/13/2021 18:46:48
推 Cliffx      : 台積電完了 三星超車6F 03/13 18:46
噓 Merkle      : DRAM做出來再叫我7F 03/13 18:48
→ gomi        : 去年年初就宣佈了 今年5nm還是做不好8F 03/13 18:50
推 cckkyle     : 我大gg FinFET 就可以做3nm了9F 03/13 18:52
→ idernest    : 台積殺手10F 03/13 18:53
→ transfight  : QQ GAA難度超大……良率真的不好看11F 03/13 18:55
→ SteamTank   : 跟GG宣稱的7nm->3nm幅度差不多，用FinFET就夠打12F 03/13 18:55
→ transfight  : QQ FinFET優點是良率高成本又低13F 03/13 18:55
→ transfight  : QQFinFET現有製程道數會比較少…Run貨快
→ transfight  : QQ 但是GAA是未來的趨勢……
噓 tsukirit    : 搞個超耗電888 5奈米都做不好16F 03/13 18:59
推 vbhero      : 台積7奈米都屌打三星3奈米17F 03/13 19:04
推 nhpss89007  : yield?18F 03/13 19:04
推 kissa0924307: 888表示：先讓我降溫吧19F 03/13 19:05
推 Jungggg     : 完了 真的被gn老蘇說中了20F 03/13 19:06
噓 tcman02     : 等於gg幾奈米？21F 03/13 19:12
推 abs7862604  : 遇到一般的怪就開了無雙22F 03/13 19:17
→ jior        : 產啦，那次不產的23F 03/13 19:20
推 clusis      : 台積電有疑慮了24F 03/13 19:23
推 yuen1029    : 韓國三星喜歡用半成品搶先發表 然後再讓別人重新定25F 03/13 19:36
→ yuen1029    : 義
推 abcgo       : 記憶體跟邏輯晶片的差距到底有多大呢？27F 03/13 19:40
噓 m9103232    : 完了，還不趕快把GG賣掉28F 03/13 19:46
→ cchh179     : 好像有搞頭29F 03/13 19:53
推 sm3489      : GG丸子，怕爆30F 03/13 19:55
推 cookie1216  : 三星那次不是彎道超車XD31F 03/13 20:03
推 nangle      : 原良率問題待改善的情況下微縮製程,等於預告爆炸...32F 03/13 20:03
→ nangle      : 可能又要賣很便宜來搶市場了，尤其是這個成本更高
→ nangle      : 只能說三星為了超前不賭命，賭徒心態，爆炸預定
推 nangle      : 如果你開無人無車6線道會撞路燈，敢開單行道？
→ nangle      : 三星這種行為根本三寶
→ Jerry469 …
→ Jerry469    : 只提SRAM 看來yield 沒救37F 03/13 20:12
→ Jerry469    : gg續噴
→ Jerry469    : [url=https://imgur.com/G7ekPOy]https://i.imgur.com/G7ekPOy.jpg[/url]
→ Jerry469    : w底確立 月底900見
推 saygogo     : *** 也算強了  到現在還可以持續一代的落後差距41F 03/13 20:21
→ saygogo     : 不过应該會死在3nm GAA 變成兩代差距
→ saygogo     : 2022 GG 3nm 量產 2023放量 ***可能還在哭良率
推 kuan50118   : 良率是重點 你良率不高誰要用...44F 03/13 20:33
推 rx78123456  : 三星現在只剩dram45F 03/13 20:37
→ Atomry777   : 彎道翻車46F 03/13 20:40
推 Homedoni    : DRAM還在用planar呢 cell瓶頸才是重點47F 03/13 20:44
噓 pf775       : 還不是被台積電屌打48F 03/13 20:47
推 ajkofqq     : 怕豹 快賣下去400 :)49F 03/13 20:48
→ Homedoni    : 有***產業才健康啦 台積才不會太寂寞50F 03/13 20:49
噓 amaranth5566: GG從來不放話51F 03/13 20:49
推 s800525     : 強推新技術微縮，看來漏電+良率爆炸可預期了52F 03/13 21:19
→ kuma660224  : 三星是落後者 所以需賭不成熟技術53F 03/13 21:20
→ kuma660224  : 否則沒機會跟GG競爭
→ kuma660224  : GG用DUV做出7nm 三星賭EUV
推 vbhero      : 台積落後的時候有賭嗎？56F 03/13 21:21
→ kuma660224  : GG也有GAA 但技術領先夠多 不用冒險57F 03/13 21:22
→ kuma660224  : Finfet就能搞定那密度 還更便宜
推 s800525     : GG 20nm好像也是爆炸過，強推的下場都很慘的59F 03/13 21:24
推 Homedoni    : FinFET爐火純青 VS 良率爆炸GAA60F 03/13 21:25
推 s800525     : GAA完全新的東西，良率不知道(應該很慘烈)、成本高61F 03/13 21:27
→ s800525     : ，把這種東西拿來賭真的很敢，跟二戰日軍那種一億玉
→ s800525     : 碎差不多XD
推 stosto      : Gaa 現在只是還不需要拿來量產而已，等到gaa量產64F 03/13 21:28
→ stosto      : 後...三星不知道又要做什麼彎道超車了
推 Marginal    : 難怪GG最近爬不太起來  原來是這樣66F 03/13 21:29
推 s800525     : GG最近軟跟這一點關係都沒有=_>=67F 03/13 21:33
→ s800525     : 跟美科技股回檔，資金輪轉關係還比較大，剛還看一下
→ s800525     : 是不是在股版....
推 toy986      : 一堆台積利空新聞 穩了70F 03/13 21:44
推 speculator  : 三*真的強又有決心,資源 可怕71F 03/13 21:59
推 mirce       : 嗯哼 三星終於做出能匹敵台積電5奈米 2022投產72F 03/13 22:05
推 notime      : 丸惹73F 03/13 22:08
→ david9066011: GG 7奈米屌打三星5奈米 這次3奈米要屌打幾奈米呢74F 03/13 22:21
推 kamichu     : 想也知道產量出不來 技術宣示 炒股比較好賺75F 03/13 22:23
推 semicoma    : 聽說三星用了這新技術 那麼設計端也要改技術 因此除76F 03/13 23:15
→ semicoma    : 非明顯比GG繼續用Fin有優勢 不然各設計廠未必有意願
推 gabkwd      : 語畢，哄堂大笑。78F 03/13 23:25
推 michelin4x4 : 這個除非他驗證性風險量產sram，良率超過8成。這才79F 03/13 23:25
→ michelin4x4 : 是有機會讓ic設計業去設計
推 rickylin    : 看來五奈米做不好直接放棄了81F 03/13 23:28
推 Sopi0318    : GG N3也繼續用fin 3奈米以下才會用gaa82F 03/13 23:28
→ kuma660224  : 三星也是被逼得選沒辦法的辦法83F 03/13 23:32
→ kuma660224  : 2020-2021的GG5nm密度良率贏太多
→ kuma660224  : 三星繼續拼FINFET也快看不到車尾燈
→ kuma660224  : 多數廠商能選GG本來就很難不選
→ kuma660224  : 所以想靠良率沒把握新技術拼一下密度
推 yesheyman   : GG也有改良版2nm是用FinFET做 GG向來都是穩扎穩打88F 03/13 23:37
→ yesheyman   : 沒人敢用第一代的GAA的 三星自己也不敢的
推 karta018    : 一下中芯超車，一下三星超車，GG怎還沒跌回20090F 03/13 23:44
推 s800525     : GG沿用FINFET到3nm一部分是讓設計節省成本，三星91F 03/13 23:45
→ s800525     : 2022就要硬上GAA要看有多少廠商願意吃下來，目前好
→ s800525     : 像就省錢一哥高通有在用三星最新的而已？
推 s800525     : 可是實驗性那麼高的GAA高通敢賭？應該很多不敢把重
→ s800525     : 要的壓這上面，何況性能目前看起來跟GG5nm差不多而
→ s800525     : 已，兩年後GG5nm產量不知道多多少了
推 ca1123      : 把台積電殺到400呀，哈哈97F 03/14 00:08
→ southpeace  : 那次不贏98F 03/14 00:35

--
※ 看板: Stock　文章推薦值: 0 目前人氣: 0 累積人氣: 163　
作者 madeinheaven 的最新發文:
點此顯示更多發文記錄
分享網址: 複製 已複製
→
guest
x)推文 r)回覆 e)編輯 d)刪除 M)收藏 ^x)轉錄 同主題: =)首篇 [)上篇 ])下篇