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根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange調查，雖然PC OEM廠對下半年旺季
銷售傾向保守，加上近期各PC OEM廠的DRAM庫存略高，買方趁勢壓低8月合約價格，為後
續耶誕檔期鋪路，賣方也考慮下半年2Gb顆粒將大量產出，而接受買方調降價格的要求，
讓價格逐步到合理範圍內，使PC OEM廠於下半年考慮重新調高DRAM搭載容量。集邦科技研
究顯示，第三季的筆記型電腦平均記憶體搭載容量為3GB，預計第四季將攀升至3.13GB，
成長幅度為4.3%。

根據集邦科技最新公佈的價格顯示，8月上旬DRAM合約市場中，DDR3 2GB合約均價從7月下
旬的44美元下跌至42美元，跌幅約4.5%，由於DDR2在合約市場比重大幅下降，因此下跌約
8.75%，到36.5美元。

集邦科技表示，DRAM顆粒價格受到PC OEM下修出貨數字與庫存水位增高影響，DRAM顆粒價
格逐步下滑，但DRAM廠業績與獲利表現卻不受影響，韓系廠商如三星與海力士的毛利率皆
維持在40%以上，日商爾必達的毛利率也有35%，台系廠商如力晶(5346)上半年也交出獲利
破新台幣百億元的成績。除了顆粒價格上揚外，其最主要貢獻還是來自於製程上的轉進，
讓顆粒成本可以大幅降低，即使第四季產出量目前有供過於求的疑慮，但不至於會低於成
本銷售。

根據集邦科技預估，由於邁入50nm製程後，線徑寬可以比過往更縮小，各家不約而同皆以
2Gb顆粒為生產主力，下半年將正式成為市場主流顆粒，在成本上，40nm製程的2Gb顆粒成
本約在1.0到1.2美元間，比起50nm製程成本，可降低約20%，跟60nm製程相比，更將近50%
的成本價差，只要能快速轉進先進製程，各DRAM廠的營業利益率(OP Margin)仍可維持獲
利空間。

集邦科技表示，在金融風暴過後，各DRAM廠在資本支出上更謹慎，不再盲目以擴產方式來
擴大經濟規模量並壓低成本，現在各家廠商皆以提昇自有技術、加速製程轉進與快速提昇
良率，來降低成本並提昇競爭力，韓系廠商轉進速度最快，如三星的56nm與46nm製程皆以
進入量產階段，35nm製程更預定於第四季產出，將占第四季產出5%到10%左右。

日系廠商爾必達除使用微縮製程讓現有63nm製程的顆粒產出量直逼50nm製程外，也放棄研
發50nm製程標準型DRAM，直接跳入45nm製程，且預計第三季導入量產，屬於爾必達子公司
的瑞晶(4932)，目前已有2台浸潤式機台移入，年底合計將有6台浸潤式機台供45nm製程轉
進用，預計明年首季末瑞晶將全數轉入45nm製程，成為爾必達生產標準型DRAM的生產重鎮
，力晶(5346)第四季也有2台浸潤式機台移入，明年合計共有4台浸潤式機台，足以供應力
晶標準型DRAM轉進。

屬美光陣營的南科(2408)與華亞科(3474)，南科預計於第三季末可將產能擴大至5萬片，
明年首季增至6萬片，華亞科也正積極轉換製程當中，預計第四季初可全數轉至50nm製程
與少量40nm製程，屆時產能也將回復至13萬片，產出量大幅度的提昇將在明年首季湧現。

http://money.chinatimes.com/news/news-content.aspx?id=20100820001645&cid=1211

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