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作者 標題 [閒聊] 震撼南韓業界！美光記憶體製造技術領先三星與 SK 海力士
時間 Mon Jun 7 17:24:48 2021
震撼南韓業界！美光記憶體製造技術領先三星與 SK 海力士
作者 Atkinson | 發布日期 2021 年 06 月 07 日 16:40
美光執行長 Sanjay Mehrotra 於 2 日在 Computex 2021 論壇主題演講宣布，正式
量產 1α 製程 LPDDR4x DRAM，並正向 AMD 和 Acer 供應 1α 製程 DRAM，還宣布開
始量產 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，震撼 DRAM 市佔率領先全球的南韓業界。
南韓媒體《KoreaBusiness》報導，美光 1α 製程 DRAM 相當於南韓三星和 SK 海
量產 1α 製程 LPDDR4x DRAM，並正向 AMD 和 Acer 供應 1α 製程 DRAM，還宣布開
始量產 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，震撼 DRAM 市佔率領先全球的南韓業界。
南韓媒體《KoreaBusiness》報導，美光 1α 製程 DRAM 相當於南韓三星和 SK 海
力士 14 奈米製程 DRAM。目前美光是世界第一家量產 14 奈米製程 DRAM 的公司。20
20 年 11 月美光宣布開始量產 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體後，代表美光不論
DRAM 還是 NAND Flash 快閃記憶體生產技術都超越南韓兩家公司。
南韓一位市場人士表示，由於核心製程技術不同，很難直接將美光技術與三星和 SK
海力士技術比較，令人驚訝的是，美光沒有極紫外線曝光設備 (EUV) 輔助下，縮小與
兩家南韓記憶體大廠的差距。
海力士技術比較，令人驚訝的是，美光沒有極紫外線曝光設備 (EUV) 輔助下，縮小與
兩家南韓記憶體大廠的差距。
現階段三星和 SK 海力士尚未開始量產 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體。SK
海力士雖然 2020 年 12 月宣布完成 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體開發，還沒
有達量產階段。兩家南韓記憶體企業都表示，2021 下半年可量產 176 層堆疊NAND Flash
快閃記憶體。但市場人士認為，量產時間實際上會到 2021 年底。預計兩家南韓記憶體廠
商的量產 14 奈米製程 DRAM 的時間也會 2021 年底開始。
海力士雖然 2020 年 12 月宣布完成 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體開發，還沒
有達量產階段。兩家南韓記憶體企業都表示，2021 下半年可量產 176 層堆疊NAND Flash
快閃記憶體。但市場人士認為，量產時間實際上會到 2021 年底。預計兩家南韓記憶體廠
商的量產 14 奈米製程 DRAM 的時間也會 2021 年底開始。
南韓半導體產業非常關注美光不使用 EUV 曝光設備成功開發出 14 奈米製程 DRAM，
因這是半導體製程微縮的關鍵。三星和 SK 海力士正將 EUV 技術應用於 10 奈米等級，
但技術較入門的 DRAM 生產。
因這是半導體製程微縮的關鍵。三星和 SK 海力士正將 EUV 技術應用於 10 奈米等級，
但技術較入門的 DRAM 生產。
相較南韓兩家廠商，目前是台灣投資金額最大的外商美光，最新技術是不使用 EUV
曝光設備，採用上一代深紫外 (DUV) 曝光設備就生產記憶體。市場人士也強調，因
ASML 的 EUV 曝光設備每部造價高達 1.5 億美元，生產的記憶體會有較高成本。但美光
採用 DUV 曝光設備就能生產記憶體產品，產品成本競爭力將更具優勢。
仍有南韓專家調，美光 1α 製程 DRAM 和 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體尚未
與三星和 SK 海力士產品比較是否有相同性能，美光能對兩家南韓廠商造成多大威脅，
有待觀察。
與三星和 SK 海力士產品比較是否有相同性能，美光能對兩家南韓廠商造成多大威脅，
有待觀察。
https://technews.tw/2021/06/07/micron-ahead-of-samsung-electronics-in-
1α-nm-dram-mass-production
縮網址：https://reurl.cc/qg1l3n
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![[圖]]()
美光執行長 Sanjay Mehrotra 於 2 日在 Computex 2021 論壇主題演講宣布，正式量產 1α 製程 LPDDR4x DRAM，並正向 AMD 和 Acer 供應 1α 製程 DRAM，還宣布開始量產 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，震撼 DRAM 市佔率領 ...
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→ : 出貨文1F 111.82.242.90 台灣 06/07 17:26
推 : 已2F 49.217.1.145 台灣 06/07 17:33
推 : 我還以為是在股版3F 42.75.104.25 台灣 06/07 17:34
推 : 1α XD4F 1.161.129.211 台灣 06/07 17:35
推 : 14α比較直觀5F 223.137.160.205 台灣 06/07 17:43
推 : 這有什麼奇怪的6F 36.229.238.239 台灣 06/07 17:48
推 : 1α早就出了= =股版我的美光文就有7F 61.231.185.200 台灣 06/07 17:56
→ : 查詢一下原來記憶體製程的名稱不同8F 1.161.129.211 台灣 06/07 17:57
→ : 1xnm、1ynm、1znm、1α、1βnm...
→ : 目標是越來越接近10nm...
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→ : 不只南韓 我也嚇了一大跳11F 111.71.213.24 台灣 06/07 18:07
→ : 99MU.....12F 101.10.93.48 台灣 06/07 18:14
→ : 內文看起來沒有領先啊 還是我錯過啥13F 223.138.99.140 台灣 06/07 18:32
推 : 製程領先不代表獲利領先啊14F 42.72.227.84 台灣 06/07 18:38
推 : 三爽下去15F 123.192.216.75 台灣 06/07 18:45
推 : 目前只有三星宣布1α是14nm16F 114.24.118.24 台灣 06/07 18:49
→ : 其他家的1α都沒公開說是幾nm
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推 : NAND又不一定疊越多層越厲害18F 111.251.207.45 台灣 06/07 19:02
→ : 還是要看實際的特性吧
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推 : NAND Flash的特點就是便宜 所以疊20F 59.126.215.89 台灣 06/07 19:17
→ : 越多層代表成本越低 越厲害
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推 : 美光設廠台灣 製程當然會超前 設美22F 36.233.108.30 台灣 06/07 19:32
→ : 國還落後紫光
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推 : 因為一個美國人薪水可以請3.5個台灣24F 36.238.67.121 台灣 06/07 19:35
→ : 人
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推 : 后里輪班仔就是爆幹強爆幹猛26F 114.25.38.118 台灣 06/07 19:46
推 : 三星記憶體又強又好 DIY平台想買還27F 114.47.72.41 台灣 06/07 20:03
→ : 不見得買的到，很多都是品牌零組件
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→ : 這種不會噴火的東西當然是能疊就疊29F 223.137.12.122 台灣 06/07 20:15
→ : 啊
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推 : 還不是靠台灣肝31F 1.174.64.233 台灣 06/07 20:16
推 : 加入美光 人生發光32F 114.45.108.241 台灣 06/07 20:18
推 : 后里林口輪出來的33F 223.138.199.176 台灣 06/07 20:26
推 : 想當初A3建廠趕得要命結果剛好遇到34F 114.35.31.44 台灣 06/07 20:46
→ : DRAM價格掉下來，突然就不管進度了
→ : XD
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推 : 台灣之光^_^37F 39.9.129.131 台灣 06/07 20:58
→ : 莫提88838F 59.127.163.145 台灣 06/07 21:07
推 : p2 1TB 還是沒降價39F 42.75.80.10 台灣 06/07 21:16
→ : 其實美光蠻強的，只用DUV就做到1α40F 1.200.71.118 台灣 06/07 23:18
→ : 這是在台灣的美光廠製造的
→ : 海力士也說有做出來 但得靠EUV
→ : 但目前買EUV機台太少也太貴 很難供
→ : 貨
→ : 這是在台灣的美光廠製造的
→ : 海力士也說有做出來 但得靠EUV
→ : 但目前買EUV機台太少也太貴 很難供
→ : 貨
推 : 肝臟才是半導體產業決勝關鍵45F 36.238.41.223 台灣 06/07 23:21
→ : 不如靠高砂國的肝力把DUV爆氣46F 1.200.71.118 台灣 06/07 23:22
→ : 不懂，真的嗎？47F 36.233.63.144 台灣 06/08 00:28
推 : 還不是靠台灣工程師 現在美光也是四48F 211.21.191.250 台灣 06/08 00:47
→ : 大的選擇之一
→ : 大的選擇之一
推 : 台灣的肝真的強 美光最慘的時候落50F 49.216.36.175 台灣 06/08 03:04
→ : 後三星快兩年吧 線寬落後代表的是
→ : 成本被屌虐 結果買了台灣兩個廠之
→ : 後 開發完到正式量產時間壓縮超多
→ : 拉良率更是飛快 追到最快量產1α
→ : 要知道當初1x時代還落後三星不少
→ : 結果到1z就追上 1α還直接反超 而
→ : 且還是在沒用上euv的情況下實現反
→ : 超 真的是蠻扯的 台灣的工程師根本
→ : 就是禁藥XD
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