看板 PC_Shopping
作者 標題 [轉寄][情報] 海力士計畫明年量產20奈米NAND Flash
時間 2010年10月22日 Fri. AM 10:24:01
看板 PC_Shopping
作者 標題 [情報] 海力士計畫明年量產20納米NAND Flash
時間 Thu Oct 21 22:02:19 2010
韓國半導體廠海力士(Hynix)計畫2011年中以20納米制程量產NAND Flash。此20納米制程
快閃記憶體可應用於手機或平板電腦(Tablet PC)等裝置，相較26納米記憶體，晶圓
(wafer)產出量提高約25%。
海力士社長權五哲表示，自2010年8月投入量產的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相
當順利。2011年中計畫量產20納米制程產品。海力士持續引領DRAM產品制程微縮趨勢，然
而NAND Flash產品技術方面在過去1、2年落後其它競爭業者，但開始量產26納米NAND
Flash之後，相信技術方面與其它先驅企業間的差距已大幅縮減。
海力士在30納米制程NAND Flash開發及量產上雖然較其它競爭公司晚了近6個月，但
推出26納米產品後則將差距縮減至1季。外界也期待海力士是否能與其它競爭公司在相近
的時期中推出20納米產品。
海力士2010年第2季末32納米以下NAND Flash產品比重約占整體產品30%，8月量產26
納米產品後，第3季末產品比重已超越50%。第4季則將可望達到70%。
海力士2007年NAND Flash產品佔有率約19%，其後市場萎縮，接連關閉NAND Flash主
要產線8寸廠，2010年第1季時市占率已下滑至個位數。
以 12寸廠為基準，三星電子(Samsung Electronics)每月產量30萬片、日廠東芝
(Toshiba)每月產量24萬片，海力士目前每月產量僅7萬片。海力士計畫年底前將產能擴大
至8 萬片，但權五哲對於擴大NAND Flash投資方面則慎重表示，將會綜合考量市場條件和
競爭力等因素後，再進行投資。2011年投資金額目前尚未底定。
海力士2010年包含將DRAM生產設備轉換為NAND生產設備等，在NAND Flash領域約投資
1兆韓元(約8.96億美元)。
http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2010/1020/article_4405.html
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 163.25.118.133
推 :等著看這波Hynix會陪成什麼樣子1F 10/21 22:03
→ :要被自己的大哥踩死
→ :要被自己的大哥踩死
推 :TSMC呢3F 10/21 22:07
→ :TSMC有做NAND Flash ?4F 10/21 22:09
→ :地下輸出？5F 10/21 22:15
→ :沒有6F 10/21 22:16
→ :工程師自己偷開機台來做的?7F 10/21 22:18
→ :偷接單8F 10/21 22:18
→ :然後偷偷蓋廠房。9F 10/21 22:20
→ :偷偷地好刺激10F 10/21 22:21
→ :TSMC的財報出現莫名其妙的虧損。11F 10/21 22:21
推 :貴金屬的靶材都被偷偷運去做flash12F 10/21 22:26
→ :你們講太長我沒辦法做成簽名檔13F 10/21 22:28
--
※ 來源: Disp BBS 看板: PC_Shopping 文章連結: http://disp.cc/b/128-Gca
※ 看板: PC_Shopping 文章推薦值: 0 目前人氣: 0 累積人氣: 86
回列表(←)
分享