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作者 標題 [轉寄][情報] 爾必達推30nm工藝最小尺寸低功耗DDR3顆粒
時間 2010年09月29日 Wed. PM 08:08:02
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作者 標題 [情報] 爾必達推30nm工藝最小尺寸低功耗DDR3顆粒
時間 Wed Sep 29 19:15:57 2010
日本爾必達公司今天宣佈，已經成功開發出一款採用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM記憶
體顆粒，核心面積和功耗都創下業界新紀錄。
該記憶體顆粒使用30nm工藝製造，是目前全球尺寸最小的2Gb容量DDR3顆粒，每塊晶圓的
成品產出量可比40nm工藝產品提升45%，大大提升成本競爭力。
該顆粒最高支援DDR3-1866頻率，也可以在1.35V低電壓下實現1600MHz頻率。同時，其工
作電流亦為業內最低，相比同廠40nm產品工作電流降低15%，待機電流下降10%。
爾必達將從今年12月開始量產這款30nm工藝2Gb DDR3顆粒，未來還會將30nm工藝引入
Mobile RAM等產品線，並加入TSV矽晶穿孔技術，為手機數碼相機等產品提供單晶片存儲
方案。
http://news.mydrivers.com/1/176/176148.htm
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推 :勉強看到三星車尾燈1F 09/29 19:19
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