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一家股東包括半導體設備大廠應用材料(Applied Materials)的新創記憶體公司Adesto
Technologies，正準備推出首款導電橋接隨機存取記憶體(conductive-bridging RAM，
 CBRAM )。 CBRAM 是一種低耗電、與CMOS相容的記憶體，可客製化應用在廣泛的離散式
或嵌入式市場，該公司打算最快在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。

在近日於美國舉行的非揮發性記憶體研討會(Non Volatile Memory Conference)上，
Adesto表示其 CBRAM 是以可編程金屬化單元(programmable metallization cell，PMC)
技術為基礎，採用130奈米製程。該公司開發此種記憶體技術已有好一段時間，是由美國
亞利桑那州立大學(Arizona State University)獨立而出的Axon Technologies公司，取
得PMC技術授權。

CBRAM 與FRAM、MRAM、相變化記憶體(PCM)、RRAM等新一代記憶體，都是有機會取代傳統
快閃記憶體的接班技術。Adesto資深業務開發總監Ed McKernan表示，CBRAM能夠被客製化
以取代 EEPROM 、快閃記憶體等等；他強調，新的CBRAM在外觀與功能上與目前的EEPROM
類似，但尺寸較小、也更具成本優勢。

Adesto正在開發的1Mbit元件，是採用標準130奈米製程，在後段製程(back-end-of-the-
line process)將整合銅材料；這意味著該技術具備需要在後段製程加入兩個非關鍵光罩步
驟(non-critical mask steps)的可編程元素。

而該元件的記憶保存週期，據說在攝氏70度以內可達10年，其運作電壓僅有1V；且因為採
用130奈米製程，最大寫入電壓小於1.6V，編程電流小於60?A，每單元編程時間小於5?s、
抹除時間小於10?s。

The 130-nm device has demonstrated the ability to have a maximum write
voltage of <1.6V, a program current of <60uA, a program time of <5us per cell
and an erase time of <10us per cell.

Adesto 在簡報中介紹，其CBRAM 元件是利用了一種陽離子固態電解質(cation-based
solid electrolyte)技術，也是Axon所授權之PMC技術的關鍵之一。根據Axom公司網站的
介紹，該定義記憶體性能的機制，是其專利技術，採用一種非晶薄膜(amorphous film)以
及兩個金屬觸點(contact)。

據Axom的資料，該技術是利用了某些非晶材料鮮為人知的一個特性，也就是能合併
(incorporate)數量相對較多的金屬，並做為固態電極；在適當的偏壓(bias)條件下，電
極中的金屬離子會減少，並在材料中形成導電通道，而該流程也能輕易逆轉，重新形成絕
緣非晶層。

在2001與2004年，美光(Micron)和英飛凌(Infineon Technologies)亦曾陸續與Axon簽訂
PMC技術的非獨家授權協議，但都沒有實際應用成果。成立僅三年的Adesto則是唯一專注
於利用該技術的公司，打算推出相關產品與提供授權業務；目前該公司似乎有晶圓代工夥
伴，但不願透露夥伴名稱。



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